100% kim loại ổn định môi trường NbTe2 tinh thể: Trong dạng số lượng lớn, niobium ditelluride là kim loại. Tương tự như molybdenum disulfide, nó có cấu trúc lớp (lamellar) với khớp nối giữa lớp yếu. NbTe2 hiển thị hành vi kim loại và siêu dẫn. Trải qua chuyển đổi siêu dẫn khoảng 1,1 K trong số lượng lớn, nhưng dự đoán sẽ cao hơn cho các tấm mỏng hơn. Không giống như các nguồn khác, tinh thể NbTe2 của chúng tôi được trồng bằng kỹ thuật vùng dòng chảy không có khuyết tật và tạp chất (xem so sánh giữa vận chuyển hơi hóa học [CVT] dưới đây). Thiên nhiên sạch sẽ và không có khuyết tật cho phép các nhà nghiên cứu quan sát siêu dẫn sạch sẽ, chuyển đổi pha và thực hiện các phép đo vận chuyển lượng tử với sự tin tưởng vào tinh thể.

Nếu nghiên cứu của bạn cần các mẫu NbTe2 phẳng nguyên tử để đo bằng kính hiển vi đường hầm (STM), vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Đặc tính của tinh thể NbTe2 của 2Dsemiconductors USA

Phương pháp tăng trưởng quan trọng> Vùng dòng chảy hoặc phương pháp tăng trưởng CVT? Ô nhiễm halogen và lỗi điểm trong tinh thể lớp là nguyên nhân được biết đến cho sự di động điện tử giảm, phản ứng anisotropic giảm, tái kết hợp e-h kém, phát thải PL thấp và hấp thụ quang học thấp hơn. Kỹ thuật vùng dòng chảy là một kỹ thuật miễn phí halogen được sử dụng để tổng hợp tinh thể vdW lớp bán dẫn thực sự. Phương pháp này khác biệt với kỹ thuật vận chuyển hơi hơi hóa học (CVT) về mặt sau: CVT là một phương pháp tăng trưởng nhanh (~ 2 tuần) nhưng có chất lượng tinh thể kém và nồng độ lỗi đạt đến phạm vi 1E11 đến 1E12 cm-2. Ngược lại, phương pháp dòng chảy mất thời gian tăng trưởng dài (~ 3 tháng), nhưng đảm bảo tinh thể hóa chậm cho cấu trúc nguyên tử hoàn hảo, và sự tăng trưởng tinh thể miễn phí tạp chất với nồng độ lỗi thấp như 1E9 - 1E10 cm-2. Trong quá trình kiểm tra chỉ cần nói loại quy trình tăng trưởng nào được ưa thích. Trừ khi có quy định khác, 2Dsemiconductors gửi tinh thể vùng Flux như một lựa chọn mặc định.